Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 (2019) | ISSUE 6 | PAGE 401
Биения квантовых осцилляций сопротивления в двухподзонных электронных системах в наклонных магнитных полях
Abstract
Исследован электронный транспорт в одиночных GaAs квантовых ямах шириной от 22 до 46 нм с двумя заполненными подзонами размерного квантования ES и EAS при температуре T = 4.2 К в наклонных магнитных полях B < 2 Тл. Угол α между вектором внешнего магнитного поля и нормалью к планарной поверхности изучаемых структур варьировался от 0 до 90°. В перпендикулярном магнитном поле (α = 0) во всех исследуемых ямах наблюдались магнето-межподзонные осцилляции сопротивления, период которых определялся соотношением: \Delta_{SAS} = E^{AS} - E^S = j\hbar\omega_c, где ωc - циклотронная частота, а j - целое положительное число. Показано, что в наклонных B максимумы магнето-межподзонных осцилляций смещаются в более сильные поля B\cos(\alpha). Смещение магнето-межподзонных максимумов объясняется увеличением энергетической щели ΔSAS с ростом компоненты B\sin(\alpha). В ямах 46 и 36 нм при углах α > 72° и α > 85°, соответственно, обнаружены биения магнето-межподзонных осцилляций. Обсуждаются причины такого неожиданного поведения магнето-межподзонных осцилляций в наклонных магнитных полях.