JETP Letters: issues online

Исследован электронный транспорт в одиночных GaAs квантовых ямах шириной от 22 до 46 нм с двумя заполненными подзонами размерного квантования E^S и E^AS при температуре T = 4.2 К в наклонных магнитных полях B < 2 Тл. Угол α между вектором внешнего магнитного поля и нормалью к планарной поверхности изучаемых структур варьировался от 0 до 90^°. В перпендикулярном магнитном поле (α = 0) во всех исследуемых ямах наблюдались магнето-межподзонные осцилляции сопротивления, период которых определялся соотношением: $\Delta_{SAS} = E^{AS} - E^S = j\hbar\omega_c$ , где ω_c - циклотронная частота, а j - целое положительное число. Показано, что в наклонных B максимумы магнето-межподзонных осцилляций смещаются в более сильные поля $B\cos(\alpha)$ . Смещение магнето-межподзонных максимумов объясняется увеличением энергетической щели Δ_SAS с ростом компоненты $B\sin(\alpha)$ . В ямах 46 и 36 нм при углах α > 72^° и α > 85^°, соответственно, обнаружены биения магнето-межподзонных осцилляций. Обсуждаются причины такого неожиданного поведения магнето-межподзонных осцилляций в наклонных магнитных полях.