Насыщение поглощения экситонов в нанопластинках CdSe/CdS при их нестационарном возбуждении
А. М. Смирнов+*, А. Д. Голинская+*, Е. В. Жаркова*, М. В. Козлова*, Б. М. Саиджонов×, Р. Б. Васильев×, В. С. Днепровский*
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
*МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники,
119991 Москва, Россия
×МГУ им. М. В. Ломоносова, Факультет наук о материалах, 119991 Москва, Россия
Abstract
Определены особенности нелинейного поглощения коллоидных нанопластинок
селенида кадмия CdSe с оболочкой из сульфида кадмия CdS в случае однофотонного
нестационарного возбуждения экситонов. При изменении толщины оболочки нанопластинок
удалось осуществить как резонансное возбуждение экситонов, связанных с легкими и тяжелыми
дырками, так и нерезонансное возбуждение. Обнаружено насыщение поглощения коллоидных
растворов нанопластинок, которое объяснено эффектом заполнения фазового пространства
экситонов. Отличие величин интенсивностей насыщения нанопластинок CdSe с различной
толщиной оболочки CdS объяснены особенностями возбуждения и релаксации экситонов.
Увеличение поглощения в случае интенсивности возбуждения, существенно превышающей
интенсивность насыщения, объяснено процессами экситон-экситонного взаимодействия и
обмена энергией между экситонами, связанными с тяжелыми и легкими дырками.