Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 7 | PAGE 496 |
|---|
|
Туннелирование в графен/h-BN/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов h-BN и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена
Ю. Н. Ханин+, Е. Е. Вдовин+ 1), М. В. Григорьев+, О. Макаровский* 2), М. Алхазми× 2), С. В. Морозов+× 2), А. Мищенко× 2), К. С. Новоселов× 2)
+Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия *School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, NG7 2RD, UK ×School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Oxford Road, Manchester, M13 9PL, UK
Abstract
Исследована эволюция проявления уровней дефектов h-BN в туннелировании через гетероструктуры графен/h-BN/графен различной степени совершенства, от полностью бездефектных до демонстрировавших несколько десятков уровней в запрещенной зоне h-BN. Показана связь поведения этих уровней с движением точек Дирака и химических потенциалов графеновых слоев при изменении смещающего и затворного напряжений, описываемым электростатической моделью идеальной бездефектной гетероструктуры. Исследована плотность состояний графена в магнитном поле путем зондирования ее уровнем единичного дефекта, с чувствительностью, позволившей зарегистрировать уже при  Т расщепление нулевого уровня
Ландау, обусловленного снятием спинового и долинного вырождения.
|