Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 10 | PAGE 679
Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
Abstract
В работе исследованы спектры терагерцовой фотолюминесценции при межзонном оптическом возбуждении гетероструктур HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в интервале температур 30-100 К и при мощности возбуждения от 3 до 300 мВт. В спектре фотолюминесценции наблюдается полоса, соответствующая энергиям квантов меньше ширины запрещенной зоны. Положение наблюдаемой полосы не меняется с ростом температуры, что позволило связать ее с захватом дырок на акцепторные центры. Показано, что эти акцепторные центры являются однократно ионизованными вакансиями ртути, являющимися двойными акцепторами. Обнаружена немонотонность зависимости интенсивности сигнала длинноволновой полосы фотолюминесценции от мощности возбуждающего источника, при этом с ростом мощности сигнала возбуждающего излучения появляется коротковолновая полоса фотолюминесценции, соответствующая межзонным переходам. В работе показывается, что данный эффект связан с насыщением числа частично ионизованных вакансий ртути при увеличении интенсивности накачки.