Home
| VOLUME 109 (2019) | ISSUE 12 | PAGE 815 |
|---|
|
Пространственно-локализованный фотоэффект в амбиполярных органических полевых фототранзисторах1)
В. А. Труханов2)
Институт спектроскопии РАН (ИСАН), 108840 Москва, Троицк, Россия Физический факультет и Международный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Abstract
С помощью численного моделирования показано, что в амбиполярных фототранзисторах на основе органических полупроводников при определенных значениях параметров материалов и структуры преобразование падающего излучения в фототок происходит не одинаково по всей длине канала, а имеется узкая область, где такое преобразование идет эффективно, причем пространственное положение этой фоточувствительной области вдоль координаты x, направленной от стока к истоку, контролируется напряжением на затворе VG. Возникновение такой области объясняется тем, что в ней повышена напряженность электрического поля, которая сильно влияет на эффективность разделения фотогенерируемых зарядов в органических полупроводниках. Определены зависимости пространственного положения фоточувствительной области от VG. Рассчитаны зависимости отношения фототока к темновому току от VG для различных профилей пространственного распределения интенсивности падающего излучения (ступенчатого, прямоугольного и гауссова). Показано, что при преобразовании шкалы VG в шкалу x данные зависимости воспроизводят с высокой степенью точности профили падающего излучения. |