JETP Letters: issues online

С помощью численного моделирования показано, что в амбиполярных фототранзисторах на основе органических полупроводников при определенных значениях параметров материалов и структуры преобразование падающего излучения в фототок происходит не одинаково по всей длине канала, а имеется узкая область, где такое преобразование идет эффективно, причем пространственное положение этой фоточувствительной области вдоль координаты x, направленной от стока к истоку, контролируется напряжением на затворе V_G. Возникновение такой области объясняется тем, что в ней повышена напряженность электрического поля, которая сильно влияет на эффективность разделения фотогенерируемых зарядов в органических полупроводниках. Определены зависимости пространственного положения фоточувствительной области от V_G. Рассчитаны зависимости отношения фототока к темновому току от V_G для различных профилей пространственного распределения интенсивности падающего излучения (ступенчатого, прямоугольного и гауссова). Показано, что при преобразовании шкалы V_G в шкалу x данные зависимости воспроизводят с высокой степенью точности профили падающего излучения.