Home
| VOLUME 110 (2019) | ISSUE 1 | PAGE 62 |
|---|
|
AC и DC проводимость в структуре n-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
А. А. Дмитриев+*, И. Л. Дричко+, И. Ю. Смирнов+, А. К. Бакаров×, А. А. Быков×°
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 С.-Петербург, Россия ×Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия °Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Проведены измерения стационарной (DC - direct current) σxxdc и высокочастотной (AC - alternating current) σacxx=σ1-i σ2 проводимостей в широкой (46 нм) квантовой яме GaAs с двухслойным распределением плотности электронов в режиме квантового эффекта Холла. В зависимости проводимости σxx от магнитного поля обнаружены три серии осцилляций, связанных с переходами между уровнями Ландау симметричной (S) и антисимметричной (AS) подзон и переходами, связанные с их зеемановским расщеплением. Анализ частотной зависимости AC-проводимости и соотношения σ1 / σ2 показал, что в минимумах осцилляций проводимость имеет прыжковый характер. |