Home
| VOLUME 110 (2019) | ISSUE 3 | PAGE 171 |
|---|
|
Метод быстрой оценки энергии деформации решетки в органических полупроводниках1)
А. Ю. Сосорев2)
МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет и Международный лазерный центр, 119991 Москва, Россия Институт спектроскопии РАН, 108840 Троицк, Россия
Abstract
Эффективная работа многих устройств органической электроники требует высокой подвижности зарядов в их рабочих слоях. Согласно современным представлениям, фактором, лимитирующим подвижность зарядов в лучших органических полупроводниках, является динамический беспорядок - флуктуация интегралов переноса заряда между молекулами, обусловленная нелокальным электрон-фононным взаимодействием и тепловым движением молекул. Однако, оценка нелокального электрон-фононного взаимодействия на настоящий момент предполагает использование весьма время- и ресурсозатратных методов, что препятствует эффективному поиску органических полупроводников с высокой подвижностью зарядов среди множества претендентов. В данной работе предложен метод, позволяющий быстро оценивать основную характеристику нелокального электрон-фононного взаимодействия - энергию деформации решетки - путем сопоставления энергии реорганизации молекул и молекулярных димеров. Полученные значения энергии деформации решетки хорошо согласуются со значениями, полученными ранее другими методами. Более того, предложенный метод позволил впервые исследовать влияние межмолекулярной делокализации на нелокальное электрон-фононное взаимодействие. Таким образом, результаты работы свидетельствуют о перспективности предложенного подхода для эффективного поиска органических полупроводников со слабым нелокальным электрон-фононным взаимодействием и высокой подвижностью зарядов. |