JETP Letters: issues online

Изучено влияние растяжения на низкотемпературную проводимость и фотопроводимость пайерлсовского проводника ромбического TaS₃. Обнаружен согласованный рост проводимости и фотопроводимости при $T \lesssim 60$ K, противоречащий модели столкновительной рекомбинации, которая хорошо описывает фотопроводимость в нерастянутых образцах. Рост проводимости сопровождается увеличением порогового поля начала скольжения волны зарядовой плотности E_T, причем взаимосвязь между E_T и проводимостью аналогична наблюдающейся при фотопроводимости. Эта взаимосвязь обусловлена изменением условий экранировки волны зарядовой плотности при изменении концентрации носителей тока. Обнаружена смена характера пиннинга волны зарядовой плотности с трехмерного при $T \gtrsim 60$ K на одномерный при $T \lesssim 45$ K при растяжении $\varepsilon \approx 0.5$ Обнаруженные эффекты объясняются тем, что в условиях растяжения вклад солитонов как в низкотемпературную проводимость, так и в фотопроводимость становится доминирующим.