Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 (2019) | ISSUE 5 | PAGE 297
Стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки
DOI: 10.1134/S0370274X19170028
Abstract
Метаморфные лазерные гетероструктуры In(Sb,As)/In0.81Ga0.19As/In0.75Al0.25As с составными квантовыми ямами InSb/InAs/InGaAs на основе субмонослойных вставок InSb в 10 нм-InAs были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). В таких структурах без оптического резонатора продемонстрировано стимулированное излучение на длине волны \lambda\sim 2.86 мкм при температурах 10-60 К в условиях оптической накачки. Пороговая плотность мощности накачки составила \sim 5 кВт/см2 при температуре 10 К.