Home
| VOLUME 110 (2019) | ISSUE 6 | PAGE 400 |
|---|
|
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3
И. Г. Горлова+ 1), А. В. Фролов+, А. П. Орлов+, В. Я. Покровский+, Воей Ву Пай* 2)
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия *Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, 106 Taipei, Taiwan
Abstract
Изготовлены структуры типа полевого транзистора на основе вискеров слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3. На этих структурах в диапазоне температур 4.2-300 К измерены зависимости проводимости σ от напряжения на затворе Vg, а также вольт-амперные характеристики вискеров ("исток-сток") при различных значениях Vg. C понижением температуры от 300 до 80 К чувствительность проводимости к напряжению на затворе,  , возрастает, а ниже
80 К - резко уменьшается. Ниже 70 K нелинейная проводимость начинает зависеть
от Vg. Результаты можно объяснить образованием электронного
кристалла при низких температурах.
|