Home
| VOLUME 110 (2019) | ISSUE 6 | PAGE 407 |
|---|
|
Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой
А. А. Капустин+ 1), С. И. Дорожкин+, И. Б. Федоров+, В. Уманский* 2), Ю. Х. Смет× 2)
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
Исследованы особенности сжимаемости электронов в двухслойной электронной системе, реализуемой в двойной квантовой яме GaAs. Обнаружены проявления отрицательной величины сжимаемости двумерной электронной системы малой плотности в нулевом и квантующем магнитных полях. В слое большей плотности обнаружено значительное уширение по магнитному полю областей существования несжимаемой фазы на факторах заполнения разрешенных по спину уровней Ландау 2 и 1, обусловленное заполнением второго слоя. Эффект объясняется стабилизацией состояния квантового эффекта Холла за счет перехода электронов из слоя меньшей плотности. Получены оценки скачков химического потенциала для соответствующих состояний квантового эффекта Холла. |