Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 (2019) | ISSUE 7 | PAGE 465
Нестационарное резонансное туннелирование в диодной двухбарьерной структуре
Abstract
Представлена новая модель нестационарного туннелирования без введения граничных условий, описывающая совместное решение нестационарного уравнения Шредингера и уравнения Пуассона. Модель основана на интегральном уравнении, полученном методом нестационарной функции Грина. Эта функция реализует пространственную нелокальность волнового пакета, но решение достаточно искать в конечной области. Рассмотрение выполнено для двухбарьерного резонансно-туннельного диода.