Определение глубины проникновения магнитного поля в сверхпроводящую тонкую монокристаллическую пленку YBa2Cu3О7 методом отражения поляризованных нейтронов
Гапонов С.В., Докукин Е.Б., Корнеев Д.А., Клюенков Е.Б., Лебнер В., Пасюк В.В., Петренко А.В., Ржаны Х., Черненко Л.П.
Глубина проникновения магнитного поля в монокристаллической сверхпроводящей пленке УВа2СизО>-$ (толщиной 2000 А, нанесенной на поверхность {1, 0, 0 } монокристалла БгТЮз) вдоль оси с при Τ =5,2 К, по данным эксперимента по зеркальному отражению поляризованных тепловых нейтронов, равна = (970 ± ^q) А.