Ускорение распада экситонов в пленке органометаллического перовскита на поверхности кристаллического кремния
К. С. Секербаев+, Е. Т. Таурбаев+, И. Н. Сараева*×, С. И. Кудряшов*×, А. А. Ионин*, В. Ю. Тимошенко*×°
+Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики
при Казахском Национальном Университете им. аль-Фараби, 050040 Алматы, Казахстан
*Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
×Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
°МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, 119991 Москва, Россия
Abstract
Обнаружено изменение оптических свойств и характеристик экситонной
фотолюминесценции в тонких слоях органометаллических перовскитов (ОМП),
перспективных для применения в высокоэффективных солнечных элементах, в случае их
нанесения на подложку из кристаллического кремния (c-Si). Наблюдаемый сдвиг полосы
фотолюминесценции в сторону больших энергий фотонов и укорочение времени жизни
фотолюминесценции по сравнению с слоями, нанесенными на стеклянную подложку с
покрытием из проводящих оксидов металлов, объяснены влиянием электрического
поля, формируемого в гетероструктуре ОМП/c-Si и приводящего к полевой ионизации и
распаду экситонов в слое ОМП.