Home
| VOLUME 110 (2019) | ISSUE 10 | PAGE 683 |
|---|
|
Температурный гистерезис при фазовом переходе, соответствующем росту и разрушению графеновых островков на рении
Е. В. Рутьков, Н. Р. Галль
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Роcсия
Abstract
Показано, что в условиях равновесного роста и разрушения графеновых островков на металле, растворяющем углерод в объеме, имеют место значительные различия в площади, занимаемой графеном на поверхности, при одинаковой температуре и концентрации углерода в объеме. Так, на рении, науглероженном при 1830 К, в равновесии графен занимает 40 островков и 80 развитой ранее трехфазной модели фазового перехода, с учетом того, что в равновесии находятся лишь краевые атомы графеновых островков, т.е. их периметр. |