Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 (2019) | ISSUE 10 | PAGE 683
Температурный гистерезис при фазовом переходе, соответствующем росту и разрушению графеновых островков на рении
DOI: 10.1134/S0370274X19220089
Abstract
Показано, что в условиях равновесного роста и разрушения графеновых островков на металле, растворяющем углерод в объеме, имеют место значительные различия в площади, занимаемой графеном на поверхности, при одинаковой температуре и концентрации углерода в объеме. Так, на рении, науглероженном при 1830 К, в равновесии графен занимает 40 островков и 80 развитой ранее трехфазной модели фазового перехода, с учетом того, что в равновесии находятся лишь краевые атомы графеновых островков, т.е. их периметр.