Формирование магнитного порядка в трехмерных топологических изоляторах для реализации квантового аномального эффекта Холла
В. Н. Меньшов+*×, И. А. Швец+*, Е. В. Чулков°+∇*
+Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 С.-Петербург, Россия
*Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
×Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
°Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Quimicas, UPV/EHU and Centro de Fisica de Materiales CFM-MPC, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20080 San Sebastian, Basque Country, Spain
∇Donostia International Physics Center (DIPC), 20018 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain
Abstract
Предложен авторский взгляд на актуальную проблему реализации собственной
поперечной проводимости в магнитных гетероструктурах на основе топологических
изоляторов. В этой связи мы представляем краткий обзор выполненных нами в последние
годы теоретических исследований, развивающих универсальный подход для аналитического
моделирования квантового аномального эффекта Холла при различных способах введения
магнитного порядка в пленку топологического изолятора. Наша модель отличается
последовательным описанием электронных состояний системы, определяющих квантовый
аномальный эффект Холла, с понижением размерности: от трехмерных объемных через
двумерные интерфейсные к одномерным краевым - что позволило подчеркнуть особую роль
физических границ, таких как интерфейсы и боковые грани, для спин-зависящего
транспорта в гетероструктурах. Мы также представляем ряд новых результатов,
полученных недавно в рамках предложенного подхода. В свете наших теоретических
результатов обсуждаются данные экспериментов, проведенных в последнее время на новых
магнитных материалах и структурах.