Теория гиротропии полупроводниковых квантовых ям
Л. Е. Голуб
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Построена теория оптических явлений, вызванных гиротропией
полупроводниковых квантовых ям.
Продемонстрировано, что исследование отражения света вблизи легкого экситона
позволяет зарегистрировать естественную оптическую активность квантовых ям.
Коэффициенты отражения в магнитном поле, лежащем в плоскости квантовой ямы,
несут информацию о магнитогиротропии, описываемой билинейными по волновому
вектору света и напряженности поля вкладами в оптический отклик,
обусловленными одновременно гиротропией системы и магнитным полем.
Показано, что магнитогиротропные эффекты резонансно усилены вблизи тяжелого
экситона. Оценки гиротропных и магнитогиротропных вкладов в отражение находятся
в согласии с имеющимися экспериментальными данными.