Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 111 (2020) | ISSUE 2 | PAGE 107
Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме
DOI: 10.31857/S0370274X20020101
Abstract
Проведено экспериментальное исследование вызванного воздействием излучения в диапазоне частот 110-169 ГГц микроволнового фотосопротивления двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме с инверсным спектром. Установлено два механизма формирования этого фотосопротивления: первый связан с переходами между дисперсионными ветками краевых токовых состояний, второй - с воздействием излучения на объем квантовой ямы.