Home
| VOLUME 111 (2020) | ISSUE 3 | PAGE 166 |
|---|
|
Влияние ко-допирования барием на сверхпроводимость в SrxBi2Se3
А. Ю. Кунцевич+*, Г. В. Рыбальченко+, В. П. Мартовицкий+, М. И. Банников+, Ю. Г. Селиванов+, С. Ю. Гаврилкин+, А. Ю. Цветков+, Е. Г. Чижевский+
+ Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Структурная причина сверхпроводимости в допированном атомами Cu, Sr, или Nb топологическом изоляторе Bi2Se3 на сегодняшний день не понятна. Для продвижения в ее понимании в данной работе был реализован подход ко-допирования, и выращены монокристаллы BaySrxBi2Se3 с различными x и y. Изучался состав, структурные и транспортные свойства полученных кристаллов. На основе рентгеновских данных показано, что барий и стронций интеркалируют систему, при том что барий входит в структуру в очень малых количествах. Удивительным образом добавление бария разрушает сверхпроводимость, практически не меняя ни постоянных решетки, ни уровня легирования кристаллической матрицы стронцием, ни концентрации электронов. Таким образом, показана ключевая роль определенного координационного расположения атомов стронция между пятислойками Bi2Se3 для достижения сверхпроводимости в данном материале. |