Динамика волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике при статическом разбросе напряженности порогового поля
Вендик И.Б., Пчелкин В.М., Щепак А.В.
Экспериментальные результаты по исследованию отклика волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике NbSe3 на слабое СВЧ излучение в присутствии СВЧ накачки и постоянного смещения удовлетворительно описываются в рамках классической модели жесткого осциллятора при усреднении величины отклика с использованием функции распределения по пороговому полю.