Home
| VOLUME 111 (2020) | ISSUE 4 | PAGE 237 |
|---|
|
Экспериментальное свидетельство неоднородного состояния коррелированной двумерной электронной системы вблизи перехода металл-изолятор
В. М. Пудалов+*, М. Е. Гершензон×
+Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 101000 Москва, Россия ×Department of Physics and Astronomy, Rutgers University, 08854 New Jersey, USA
Abstract
При измерении осциллирующего магнитосопротивления в двумерной системе в Si-MOS структурах в слабом перпендикулярном магнитом поле мы обнаружили, что квантовые осцилляции наблюдаются вплоть до критической электронной концентрации nc перехода в режим сильной локализации. При столь малых концентрациях осцилляции имеют ожидаемый период, фазу и амплитуду, несмотря на то, что значение проводимости становится менее e2/h, и, следовательно, длина пробега становится менее λF. Это кажущееся противоречие с критерием диффузионного транспорта Иоффе-Регеля, на наш взгляд, объясняется возникновением неоднородного состояния 2D системы, в котором области с диффузионной и прыжковый проводимостью оказываются пространственно разделены. |