Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 111 (2020) | ISSUE 10 | PAGE 641
Отклик на субмиллиметровое излучение СИНИС приемника с электронным охлаждением
DOI: 10.31857/S1234567820100018
Abstract
Экспериментально изучен отклик на субмиллиметровое излучение приемника, сформированного на кремниевой подложке в виде метаматериала - матрицы 10×10 разрезных колец, соединенных туннельными структурами сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник (СИНИС). При малых по сравнению со сверхпроводящей щелью напряжениях электронная температура Te при температуре подложки T\sim0.1 K равна \sim 0.23 K из-за перегрева паразитным излучением, при 0.3 K T_e\approx T. В обоих случаях при росте напряжения Te снижается из-за электронного охлаждения и достигает 0.19 K при напряжении, соответствующем максимальному отклику. При T=0.1 K отклик в 5-6 раз превышает отклик при T\sim0.3 K. Таким образом, электронное охлаждение не обеспечивает такой же чувствительности приема, как и охлаждение приемника в целом.