Home
| VOLUME 111 (2020) | ISSUE 10 | PAGE 641 |
|---|
|
Отклик на субмиллиметровое излучение СИНИС приемника с электронным охлаждением
А. А. Гунбина+*, С. А. Лемзяков×°, М. А. Тарасов∇, В. С. Эдельман×, Р. А. Юсупов∇
+Институт прикладной физики РАН, 603950 Н. Новгород, Россия *Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603950 Н. Новгород, Россия ×Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, 119334 Москва, Россия °Московский физико-технический институт (государственный университет), 141701 Долгопрудный, Россия ∇Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
Abstract
Экспериментально изучен отклик на субмиллиметровое излучение приемника, сформированного на кремниевой подложке в виде метаматериала - матрицы 10×10 разрезных колец, соединенных туннельными структурами сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник (СИНИС). При малых по сравнению со сверхпроводящей щелью напряжениях электронная температура Te при температуре подложки  K равна  0.23 K из-за перегрева паразитным излучением,
при 0.3 K  . В
обоих случаях при росте напряжения Te снижается из-за электронного охлаждения и
достигает 0.19 K при напряжении, соответствующем максимальному отклику. При
T=0.1 K отклик в 5-6 раз превышает отклик при  K. Таким образом, электронное
охлаждение не обеспечивает такой же чувствительности приема, как и охлаждение
приемника в целом.
|