Теоретическое исследование электронных и оптических свойств гетероструктуры на основе молекул органического полупроводника PTCDA и MoSe2
Е. В. Суханова+*, З. И. Попов+×, Д. Г. Квашнин+°
+Институт биохимической физики им. Н. М. Эмануэля РАН, 119334 Москва, Россия
*Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), 141701 Долгопрудный, Россия
×Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
°Школа химии и технологии полимерных материалов, Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова,
117997 Москва, Россия
Abstract
В работе представлено теоретическое исследование структурных и физико-химических
свойств гетероструктуры MoSe2/PTCDA, сочетающей в себе двумерный неорганический и
молекулярный органический полупроводники. Методами DFT были описаны особенности
изменения электронных свойств мономолекулярного слоя PTCDA на поверхности MoSe2.
Количественный анализ переноса заряда между компонентами гетероструктуры объяснил
особенности связывания между слоями. Исследование оптических характеристик
гетероструктры показало усиление спектра поглощения в инфракрасном диапазоне, что говорит о
перспективности применения гетероструктур MoSe2/PTCDA в областях электроники и
оптоэлектроники и связанных с утилизацией солнечной энергии материалов.