|
VOLUME 111 (2020) | ISSUE 11 |
PAGE 750
|
Измерение магнитной восприимчивости носителей в квантовых ямах HgTe в перпендикулярном поле
А. Ю. Кунцевич+, Е. В. Тупиков*, С. А. Дворецкий×, Н. Н. Михайлов×, М. Резников°
+Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *Department of Physics, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA ×Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия °Technion, Israel Institute of Technology, 32000 Haifa, Israel
Abstract
Магнитная восприимчивость двумерных систем в пределе малых полей
практически недостижима для магнитометрических измерений,
так как для неосциллирующей с полем намагниченности тяжело разделить вклады
подложки и двумерного газа.
В данной работе мы сообщаем об измерениях производной намагниченности по
концентрации носителей в двумерных системах в узких HgTe квантовых ямах (толщина < 7 нм)
с помощью модуляции химпотенциала магнитным полем, перпендикулярным
плоскости системы.
В спектре валентной зоны таких ям, как было установлено ранее, помимо легких
дираковских состояний в центре зоны Бриллюэна существуют долины тяжелых дырок с
максимумами, смещенными в направлении от центра.
Мы наблюдаем, что при добавлении электронов в систему, по мере выхода уровня
Ферми из этих тяжелых долин, магнитная восприимчивость резко падает. Это
можно интерпретировать либо как ослабление парамагнетизма,
либо как усиление диамагнетизма. Наши оценки показывают, что наблюдаемый эффект
связан в основном с парамагнетизмом состояний тяжелых долин валентной зоны.
|
|