Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 111 | ISSUE 12 | PAGE 815
Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB
Abstract
Исследована возможность электрического управления межслоевым обменным взаимодействием в туннельных контактах CoFeB/MgO/CoFeB, демонстрирующих магнетосопротивление величиной \sim200%. Показано, что увеличение приложенного напряжения с 50 мВ до 1.25 В приводит к сдвигу кривой намагничивания свободного слоя на 10 Э при плотности протекающего тока {\sim} 10^3 А/см2. Обнаруженный эффект может быть использован при разработке энергоэффективной магниторезистивной памяти с произвольным доступом.