Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре n-GaAs/AlAs
И. Л. Дричко+, И. Ю. Смирнов+, А. К. Бакаров*, А. А. Быков*, А. А. Дмитриев×, Ю. М. Гальперин+°
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
*Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
×Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
°Department of Physics, University of Oslo, P. O. Box 1048 Blindern, 0316 Oslo, Norway
Abstract
Изучeны DC и AC проводимости
структуры n-GaAs/AlAs
с двумя заполненными уровнями пространственного квантования в широком
интервале магнитных полей. Электронный спектр такой структуры характеризуется
двумя подзонами (симметричной S и антисимметричной AS),
разделенными энергетической щелью Δ12=15.5 мэВ.
Показано, что в линейном режиме в магнитных полях B > 3 Tл наблюдаются
осцилляции, соответствующие режиму целочисленного квантового эффекта Холла
(ЦКЭХ), сложная картина которых хорошо объясняется переходами между уровнями
Ландау различных подзон. В магнитных полях B <1 Тл наблюдаются межподзонные
осцилляции (MISO). Рост проводимости при увеличении тока через образец или
интенсивности поверхностной акустической волны (ПАВ) в режиме ЦКЭХ определяется
ростом температуры электронного газа. При межподзонных переходах установлено,
что механизм нелинейности не сводится к разогреву, причем уменьшение АС
проводимости при росте напряженности электрического поля ПАВ не зависит от
частоты, но и не совпадает с характером зависимости DC проводимости от
холловского напряжения Ey.