Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 112 (2020) | ISSUE 3 | PAGE 160
Антистоксова люминесценция объемного β-InSe и его тонких пленок при оптическом ИК-возбуждении
DOI: 10.31857/S1234567820150033
Abstract
В объемных кристаллах β-InSe и полученных из них тонких пленках при низких температурах обнаружен новый механизм излучательной рекомбинации, приводящий к появлению интенсивной антистоксовой люминесценции с энергией фотонов 2.54 эВ. Соответствующая линия излучения по своему спектральному положению близка к экситонному резонансу прямого в k-пространстве межзонного перехода, который связан с рекомбинацией электронов из дна зоны проводимости с дырками на Se-pxy орбиталях. Обнаруженное антистоксово излучение, предположительно, связано с Оже-рекомбинацией непрямых в k-пространстве электронно-дырочных пар, приводящей к заселению нижележащих состояний валентной зоны. Обнаружено, что относительная интенсивность антистоксовой люминесценции более чем на два порядка возрастает при переходе от объемного InSe к пленкам InSe толщиной несколько десятков нанометров.