Локализация экситонов на плоских дефектах в полупроводниковых кристаллах
М. М. Махмудиан+*, А. В. Чаплик+* 1)
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Теоретически исследованы локализованные состояния экситона большого
радиуса на плоском короткодействующем дефекте, который моделируется потенциалом
-Vδ(z). Отношение амплитуды V к
(
-
диэлектрическая постоянная) определяет два асимптотических режима - слабая или
сильная локализация. В обоих случаях радиационное время жизни экситона
увеличивается с ростом V по степенным законам: V1/4 в случае слабой и V
в случае сильной локализации.