Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 112 (2020) | ISSUE 4 | PAGE 246
Локализация экситонов на плоских дефектах в полупроводниковых кристаллах
DOI: 10.31857/S1234567820160053
Abstract
Теоретически исследованы локализованные состояния экситона большого радиуса на плоском короткодействующем дефекте, который моделируется потенциалом -Vδ(z). Отношение амплитуды V к e^2/\varepsilon (\varepsilon - диэлектрическая постоянная) определяет два асимптотических режима - слабая или сильная локализация. В обоих случаях радиационное время жизни экситона увеличивается с ростом V по степенным законам: V1/4 в случае слабой и V в случае сильной локализации.