JETP Letters: issues online

Показано, что в ромбическом TaS₃ с дефектами закалки при изменении температуры в области ниже температуры пайерлсовского перехода T<T_P возникает вынужденная диффузия дефектов, обусловленная их сильным взаимодействием с волной зарядовой плотности (ВЗП). Определены взаимосвязи между концентрацией дефектов закалки n и пороговым полем начала скольжения ВЗП E_T, а также сдвигом T_P, вызванным внесением дефектов: $E_T \propto n$ и $\Delta T_P \propto n$ . Такой набор законов соответствует скоррелированному с ВЗП расположению дефектов по объему образца. Обнаружена обычная (без термоциклирования) диффузия дефектов закалки при $T\approx 300$ К, оценены ее коэффициент диффузии и высота энергетического барьера, что позволило прояснить наиболее вероятную природу дефектов. Это - примеси серы, внедренные во время закалки в ван-дер-ваальсовскую щель между цепочками и при T <T_P частично упорядоченные благодаря взаимодействию с ВЗП. Это упорядочение существенно понижает высоту энергетического барьера вынужденной диффузии по сравнению с обычной диффузией при изменении пространственной конфигурации ВЗП в ходе термоциклирования, что приводит к появлению аномально высокой низкотемпературной вынужденной мобильности скоррелированных примесей.