Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 112 (2020) | ISSUE 7 | PAGE 475
Зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации 2D электронного газа в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами
DOI: 10.31857/S1234567820190076
Abstract
Исследованы зависимости транспортного времени рассеяния (τt), квантового времени жизни (τq) и их отношения (τt/τq) от концентрации 2D электронного газа (ne) в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами. Экспериментальные зависимости объясняются рассеянием электронов на удаленных ионизированных донорах с эффективной 2D концентрацией n*R и фоновых примесях с 3D концентрацией nB. Получено выражение для n*R(ne), учитывающее роль локализованных в AlAs слоях X-электронов в подавлении рассеяния на случайном потенциале удаленных доноров. Показано, что наблюдаемое в эксперименте резкое возрастание τt и τq с увеличением ne выше некоторого критического значения nec обусловлено уменьшением n*R. Установлено, что падение τt/τq в области ne>nec обусловлено тем, что в исследуемой 2D системе с уменьшением n*R рассеяние на случайном потенциале фоновой примеси более существенно ограничивает рост τt, чем τq.