Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
Л. С. Бовкунa, b, А. В. Иконниковc, С. С. Криштопенкоd, В. Я. Алешкинa, М. С. Жолудевa, С. Руффенахd 1), К. Консежоd 1), Ф. Теппd 1), С. А. Дворецкийe, Н. Н. Михайловe, М. Потемскиb 1), М. Орлитаb 1), В. И. Гавриленкоa,g 2)
aИнститут физики микроструктур РАН - филиал Федерального исследовательского центра
Институт прикладной физики РАН, 603950 Н. Новгород, Россия
bLaboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, CNRS-UGA-EMFL-UPS-INSA, FR-38042 Grenoble, France
cФизический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
dLaboratoire Charles Coulomb, UMR CNRS 5221, Université de Montpellier, 34095 Montpellier, France
eИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
gНижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия
Abstract
Выполнены исследования магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с
инвертированной зонной структурой в магнитных полях до 30 Тл. Показано, что
положение линий магнитопоглощения для переходов с "нулевых" уровней Ландау в
широком диапазоне магнитных полей принципиально не может быть описано в рамках
"одноэлектронного" приближения с использованием 8-зонной модели Кейна и учетом
эффектов, связанных с отсутствием пространственной инверсии. Обнаруженное
поведение энергий оптических переходов в зависимости от магнитного поля может
быть качественно объяснено в рамках "многочастичной" картины, в которой переходы
между уровнями Ландау рассматриваются как коллективные моды, гибридизованные
электрон-электронным взаимодействием.