Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 112 (2020) | ISSUE 12 | PAGE 801
Атомно-подобные незанятые состояния GaAs
DOI: 10.31857/S1234567820240039
Abstract
Методом характеристических потерь энергии электронов на отражение исследован спектр возбуждений GaAs. Помимо доминирующих коллективных возбуждений, в спектре обнаружена серия одноэлектронных переходов остовного Ga3d электрона в неизвестные ранее незанятые состояния, расположенные выше уровня Ферми, соответственно, на 1.25, 3.7 и 6.8 эВ. Показано, что обнаруженные состояния возникают вблизи ионного остова Ga вследствие увеличения его эффективного заряда при возбуждении. Эквидистантность обнаруженных электронных уровней позволяет описать их моделью субнанометровой шаровой квантовой точки. Показано, что один из каналов распада обнаруженных состояний сопровождается испусканием ультрафиолетового излучения.