 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 113 (2021) | ISSUE 1 | PAGE 3 |
|---|
|
Влияние лазерного излучения вблизи 1.5 мкм на параметры фотолюминесценции ансамбля NV-центров в алмазе
M. A. Смирновa, M. M. Миннегалиевa, И. В. Федотовa,b,c,d,f, С. А. Моисеевa, A. M. Желтиковa,b,c,d,e
aКазанский квантовый центр, Казанский национальный исследовательский технический университет им. А. Н. Туполева, 420111 Казань, Россия bМосковский государственный университет им. М. В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия cDepartment of Physics and Astronomy, Texas A&M University, College Station TX 77843, USA dРоссийский квантовый центр, 143025 Сколково, Москва, Россия eНациональный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия fНациональный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Abstract
Экспериментально исследовано влияние лазерного излучения с длиной волны вблизи 1.55 мкм на фотолюминесцентные свойства центров окраски "азот-вакансия" (NV) в алмазе. Под воздействием инфракрасного лазера в ансамбле NV-центров происходит перераспределение спектральной интенсивности фотолюминесценции, вызванное влиянием излучения на зарядовое состояние центров окраски. При этом в случае нейтрально заряженных NV-центров наблюдалось гашение фотолюминесценции, которое достигало  60
возбуждения NV-центров данным методом является отсутствие конкуренции со стороны
процессов стимулированной эмиссии и двухфотонного возбуждения, которая наблюдается с
увеличением мощности инфракрасного излучения на других длинах волн.
|