О механизме генерации убегающих электронов после пробоя промежутка
Д. В. Белоплотов+, В. Ф. Тарасенко+*, В. А. Шкляев+, Д. А. Сорокин+
+Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН, 634055 Томск, Россия
*Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
Abstract
Представлены данные, объясняющие генерацию убегающих электронов после пробоя промежутка
с резко неоднородным распределением напряженности электрического поля. Используя
специальную методику измерения тока смещения, вызванного появлением и движением
стримера, осуществлена привязка осциллограмм напряжения и тока убегающих электронов
друг к другу, а также к динамике формирования стримера, которая регистрировалась с помощью
четырехканальной ICCD камеры. Показано, что первый пучок убегающих электронов генерируется
в окрестности острийного катода в момент появления стримера. Второй пучок убегающих
электронов генерируется в момент прихода на острийный катод обратной волны ионизации.
Предполагается, что генерация второго пучка убегающих электронов происходит в катодном
слое. Это подтверждается тем, что второй пучок убегающих электронов отсутствует в
тех реализациях разряда, при которых наблюдается свечение катодного пятна до замыкания
промежутка плазмой.