JETP Letters: issues online

Предлагается механизм инициирования взрывной электронной эмиссии на границе катода и плотного газа, основанный на накоплении у естественных выступов микронного размера положительных ионов, образующихся в результате ионизации газа автоэмиссионными электронами. Расстояние, на котором рождаются ионы, падает с ростом плотности газа, что приводит к увеличению их кулоновского поля на эмитирующей поверхности. В итоге для газа высокого - в десятки атмосфер - давления происходит взрывной рост плотности эмиссионного тока, приводящий за десятки пикосекунд к образованию множества взрывоэмиссионных центров. Они дают старт развитию плазменных каналов, прорастающих в сторону анода. На вершинах плазменных острий генерируются убегающие электроны, которые ионизуют газ, обеспечивая его субнаносекундный пробой. Такой сценарий развития пробоя может реализовываться в условиях критически низкого приведенного электрического поля (т.е. отношения его напряженности к давлению), когда характерное время лавинного размножения тепловых электронов больше длительности импульса напряжения.