Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 113 (2021) | ISSUE 8 | PAGE 507
2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN
Abstract
Исследована кинетика затухания низкотемпературной экситонной фотолюминесценции в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами GaN/AlN монослойной толщины, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В рамках трехуровневой модели выполнено теоретическое моделирование измеренных кривых затухания излучения. Процесс релаксации дипольно-разрешенных "светлых" экситонов, пространственно ограниченных в монослоях GaN, определен как экситонная релаксация с характерным временем \sim 3 пс, сопровождающаяся переворотом спина и превращением в дипольно-запрещенные "темные" экситоны, уровни которых расположены на \sim 60 мэВ ниже по энергии. Показан двумерный характер экситонных состояний при температурах выше 50 К.