Плазмон-магнонное взаимодействие в системе графен-антиферромагнитный диэлектрик
А. М. Пикалов+*, А. В. Дорофенко*×, А. Б. Грановский+×°
+Физический факультет, МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
*Институт радиоэлектроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
×Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, 125412 Москва, Россия
°Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова, 119991 Москва, Россия
Abstract
Для системы графен-антиферромагнтный диэлектрик исследовано влияние
плазмон-магнонного взаимодействия на распространение гибридной волны
вдоль поверхности графена. Рассмотрены три антиферромагнетика NiO,
FeF2 и MgF2 с различными частотами антиферромагнитного резонанса
в терагерцовой области и различным затуханием магнонов. Получено, что плазмон-магнонное
взаимодействие проявляется в изменении дисперсионного соотношения
вблизи частоты антиферромагнитного резонанса, а эффективность этого взаимодействия зависит
от положения уровня Ферми в графене и затухания магнонов.