Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 113 (2021) | ISSUE 9 | PAGE 605
Влияние мощности излучения на модификацию осцилляций фототока в однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками
Abstract
Изучено влияние мощности падающего светового излучения на поведение квантовых осцилляций фототока в однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками. Обнаружено резкое подавление начальных осцилляций с ростом мощности, обусловленное деструктивным влиянием случайных флуктуаций потенциала, порождаемых накоплением заряда на дырочных уровнях квантовых точек. Обнаружено критическое влияние рекомбинации в области сильнолегированого p-слоя на относительную величину осцилляций в диапазоне малых мощностей. При большой мощности обнаружена генерация тока аналогичная наблюдавшейся в n-i-n резонансно-туннельных структурах. Предложена новая качественная модель формирования осцилляций, включающая, как основной элемент, диффузионный транспорт фотовозбужденных электронов из p-слоя. Новая модель подтверждена также измерениями осцилляций при разных длинах волн.