JETP Letters: issues online

Изучено влияние мощности падающего светового излучения на поведение квантовых осцилляций фототока в однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками. Обнаружено резкое подавление начальных осцилляций с ростом мощности, обусловленное деструктивным влиянием случайных флуктуаций потенциала, порождаемых накоплением заряда на дырочных уровнях квантовых точек. Обнаружено критическое влияние рекомбинации в области сильнолегированого p-слоя на относительную величину осцилляций в диапазоне малых мощностей. При большой мощности обнаружена генерация тока аналогичная наблюдавшейся в n-i-n резонансно-туннельных структурах. Предложена новая качественная модель формирования осцилляций, включающая, как основной элемент, диффузионный транспорт фотовозбужденных электронов из p-слоя. Новая модель подтверждена также измерениями осцилляций при разных длинах волн.