Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 113 (2021) | ISSUE 10 | PAGE 697
Поглощение микроволнового излучения двумерными электронными системами, связанное с возбуждением размерных резонансов бернштейновских мод
Abstract
На образцах гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой под микроволновым излучением частоты 130-170 ГГц выполнены исследования зависимости амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза от магнитного поля. Обнаружены две особенности подавления амплитуд осцилляций излучением, имеющие резонансный характер по полю. Один из резонансов возникает в магнитном поле, соответствующем второй гармонике циклотронного резонанса, в то время как существование, положение и амплитуда второго резонанса более сложным образом зависят от частоты излучения. Обнаруженное резонансное поглощение излучения на второй гармонике, по-видимому, является причиной аномального пика магнетосопротивления, недавно наблюдавшегося около этой гармоники. Указанные резонансы могут быть объяснены возбуждением в ограниченном образце стоячих магнитоплазменных волн с одинаковым волновым вектором, но соответствующих двум различным областям их закона дисперсии: почти бездисперсионному участку бернштейновской моды и циклотронной магнитоплазменной моде.