Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 113 (2021) | ISSUE 12 | PAGE 797
Микродоменная инженерия в волноводных и слоистых структурах на основе сегнетоэлектриков для применений в элементах фотоники (Миниобзор)
Abstract
Представлен обзор результатов исследований сегнетоэлектрических нано- и микродоменных структур, сформированных в оптических волноводах на LiNbO3. В волноводном сэндвиче LNOI (LiNbO3-on-insulator) полярной (Z) ориентации полем зонда AFM записаны нанодоменные структуры заданной конфигурации и исследованы их свойства. На доменных стенках обнаружена статическая проводимость σDW. Ее оценка выполнена с помощью оригинального метода, основанного на характеристиках AFM записи доменов. Найденная величина \sigma_{\text{DW}}\approx8\cdot10^{-4} (Ом • см)-1 не менее, чем на 12 порядков, превышает объемную проводимость LiNbO3. В планарных оптических волноводах He : LiNbO3 и Ti : LiNbO3, сформированных на неполярных (X и Y) поверхностях кристалла электронно-лучевым методом,записаны микродоменные решетки с заданными периодами. Исследования нелинейно-оптического преобразования излучения в записанных структурах показали, что оптимальные характеристики волноводного преобразования во вторую гармонику достигаются при соответствии глубины записанных доменов Td толщине волноводного слоя. Величина Td задается ускоряющим напряжением (U) SEM.