 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 113 (2021) | ISSUE 12 | PAGE 797 |
|---|
|
Микродоменная инженерия в волноводных и слоистых структурах на основе сегнетоэлектриков для применений в элементах фотоники (Миниобзор)
Т. Р. Волк+, Я. В. Боднарчук+, Р. В. Гайнутдинов+, Л. С. Коханчик*, С. М. Шандаров×
+Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, 119333 Москва, Россия *Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия ×Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634050 Томск, Россия
Abstract
Представлен обзор результатов исследований сегнетоэлектрических нано- и микродоменных структур, сформированных в оптических волноводах на LiNbO3. В волноводном сэндвиче LNOI (LiNbO3-on-insulator) полярной (Z) ориентации полем зонда AFM записаны нанодоменные структуры заданной конфигурации и исследованы их свойства. На доменных стенках обнаружена статическая проводимость σDW. Ее оценка выполнена с помощью оригинального метода, основанного на характеристиках AFM записи доменов. Найденная величина  (Ом • см)-1 не менее, чем на 12 порядков, превышает объемную
проводимость LiNbO3. В планарных оптических волноводах He : LiNbO3 и Ti : LiNbO3,
сформированных на неполярных
(X и Y) поверхностях кристалла электронно-лучевым методом,записаны микродоменные решетки с заданными
периодами. Исследования нелинейно-оптического преобразования излучения в записанных структурах показали, что
оптимальные характеристики волноводного преобразования во вторую гармонику достигаются при соответствии глубины
записанных доменов Td толщине волноводного слоя. Величина Td задается ускоряющим напряжением (U) SEM.
|