Измерение оптических потерь и дисперсии волноводных мод в геометрии критического эванесцентного возбуждения
Д. В. Пермяков, В. И. Кондратьев, Д. А. Пидгайко, И. С. Синев, А. К. Самусев1)
Физико-технический факультет, Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
Abstract
Поверхностные волны, такие как плазмонные, экситонные или фононные
поляритоны, а также волноводные моды, поддерживаемые различными
планарными структурами, привлекают особое внимание из-за их способности
переносить оптические сигналы в двумерных и одномерных системах.
Важной характеристикой таких волн является их дисперсия
ω(kx,ky), которой можно управлять путем наноструктурирования
плоских слоистых систем для получения фотонно-кристаллических волноводов
и метаповерхностей.
Путем подбора закона дисперсии поверхностных волн можно реализовать такие
уникальные оптические явления, как переход от режима положительного
преломления к отрицательному или от эллиптической дисперсии к
гиперболической, а также самофокусировка и бездифракционное
распространение поверхностных волн.
Наряду с вещественной частью волнового вектора, отвечающей за фазу
распространяющейся поверхностной волны, критически важным параметром с
прикладной точки зрения является длина ее распространения, которая
связана с собственными потерями моды. Мы предлагаем экспериментальный
подход, позволяющий измерить полную комплексную дисперсию оптических
поверхностных волн и волноводных мод. Метод основан на спектроскопии
нарушенного полного внутреннего отражения с угловым разрешением. В такой
конфигурации эксперимента варьирование воздушного зазора между образцом и
линзой твердой иммерсии позволяет плавно управлять величиной связи между
поверхностными волнами и модами свободного пространства. На примере
планарного кремниевого волновода мы идентифицируем в эксперименте режим
критической связи света с волноводной модой, определяем собственные
потери моды и, соответственно, длину ее распространения в широком
спектральном диапазоне. Наш подход представляет собой мощный инструмент
для исследования оптических и поляритонных поверхностных волн различных
типов и может найти свое применение в разработке оптоэлектронных и
нанофотонных устройств на чипе.