Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 114 (2021) | ISSUE 1 | PAGE 36
Новый политип NbS3, квазиодномерного проводника с высокотемпературной волной зарядовой плотности1)
Abstract
Синтезирован новый политип NbS3-квазиодномерного проводника с высокотемпературными волнами зарядовой плотности (ВЗП). Исследования в просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) при комнатной температуре показали, что из двух сверхструктур, существующих в изученной ранее моноклинной фазе, наблюдается лишь одна, с периодом вдоль цепочек, близким к (1/0.352)b. Помимо этого, наблюдается новое несоизмеримое искажение решетки с периодом, близким к 2b. Транспортные свойства исследованных образцов находятся в согласии с результатами исследования сверхструктуры. Постоянные основной решетки несколько отличаются от соответствующих параметров, установленных для изученной ранее моноклинной фазы. Предположительно, новую фазу можно считать промежуточной между двумя основными известными фазами NbS3 - моноклинной и триклинной. При этом ее свойства можно объяснить в рамках модели, согласно которой элементарную ячейку моноклинной фазы можно рассматривать как результат наложения ячеек триклинной фазы.


 
Supplemental files
1zyb-d.pdf