Новый политип NbS3, квазиодномерного проводника с высокотемпературной волной зарядовой плотности1)
С. Г. Зыбцев+, Н. Ю. Табачкова*×, В. Я. Покровский+ 2), С. А. Никонов+, А. А. Майзлах+, С. В. Зайцев-Зотов+
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
*Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
×Национальный Исследовательский Технологический Университет (НИТУ), 119049 Москва, Россия
Abstract
Синтезирован новый политип NbS3-квазиодномерного проводника с
высокотемпературными волнами зарядовой плотности (ВЗП). Исследования в
просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) при комнатной температуре показали, что
из двух сверхструктур, существующих в изученной ранее моноклинной фазе, наблюдается
лишь одна, с периодом вдоль цепочек, близким к (1/0.352)b. Помимо этого, наблюдается
новое несоизмеримое искажение решетки с периодом, близким к 2b. Транспортные свойства
исследованных образцов находятся в согласии с результатами исследования сверхструктуры.
Постоянные основной решетки несколько отличаются от соответствующих параметров,
установленных для изученной ранее моноклинной фазы. Предположительно, новую фазу
можно считать промежуточной между двумя основными известными фазами NbS3 -
моноклинной и триклинной. При этом ее свойства можно объяснить в рамках модели,
согласно которой элементарную ячейку моноклинной фазы можно рассматривать как
результат наложения ячеек триклинной фазы.