 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 114 (2021) | ISSUE 2 | PAGE 72 |
|---|
|
Особенности разрушения сверхизоляторного состояния импульсным напряжением в пленках NbTiN
Д. Е. Дураков+*, И. А. Деребезов+, В. М. Винокур×, А. Ю. Миронов+
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ×Terra Quantum AG, St. Gallerstrasse 16A, CH-9400 Rorschach, Switzerland
Abstract
Исследовано разрушение сверхизоляторного состояния импульсными сигналами напряжения в тонких пленках NbTiN. Обнаружено запаздывание разрушения сверхизоляторного состояния от фронта импульса. Определено время восстановления и время разрушения сверхизоляторного состояния. |