 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 114 (2021) | ISSUE 2 | PAGE 96 |
|---|
|
Нестандартные особенности взаимодействия одиночных люминесцентных центров, сформированных ядрами частичных дислокаций в CdTe и ZnSe, с продольными оптическими фононами1)
В. С. Кривобок2), С. Н. Николаев, В. С. Багаев, С. И. Ченцов, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
С помощью измерений низкотемпературной ( 5 К) микрофотолюминесценции исследованы отдельные люминесцентные центры, формируемые ядрами частичных дислокаций в пленке CdTe/Si и квантовой яме на основе ZnSe. Показано, что для данных центров характерно заметное взаимодействие с продольными оптическими (LO) фононами, квазиимпульс которых соответствует центру зоны Бриллюэна. В то же время относительные интенсивности LO- и 2 LO-фононных повторений на порядок отличаются от величин, предсказываемых формулой Хуанга-Рис, которая описывает интенсивности многофононных LO-повторений для примесных люминесцентных центров. Нестандартное распределение интенсивности фононных повторений приписано изменению кривизны адиабатических потенциалов (дефект частоты), которое возникает за счет неустойчивости структуры связей в дислокационном ядре по отношению к состоянию электронной подсистемы. |