Абляция кристаллических пластин ориентации (111) и (001) ультракороткими лазерными импульсами с вращаемой линейной поляризацией
Г. К. Красин+, М. С. Ковалев+*, П. А. Данилов+, Н. Г. Сцепуро+, Е. А. Олейничук+, С. А. Бибичева+*, В. П. Мартовицкий+, С. И. Кудряшов+
+Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана, 105005 Москва, Россия
Abstract
Впервые проведены исследования зависимости пороговой плотности энергии абляции поверхности таких
кристаллических материалов, как кремний и алмаз (с ориентациями (001) и (111)) от направления линейной поляризации
ультракоротких импульсов различной длительности (0.3-3.3 пс) с длиной волны 515 нм. Полученные значения пороговой
плотности энергии абляции Fabl демонстрируют для всех ориентированных пластин заметную зависимость от
азимута поляризации лазерных импульсов для всех трех длительностей. Азимутальная модуляция величины Fabl
составляет от 30 до 90
кристаллических материалов, проявляющейся, когда лазерная поляризация совпадает с этими направлениями. Полученные
результаты позволят оптимизировать параметры поляризации ультракоротких лазерных импульсов для обработки различных
кристаллических материалов.