Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 114 (2021) | ISSUE 3 | PAGE 192
Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла
Abstract
Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости \varepsilon зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора \varepsilon при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.