Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 114 | ISSUE 3 | PAGE 192
Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла
Abstract
Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости \varepsilon зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора \varepsilon при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.