 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 114 (2021) | ISSUE 3 | PAGE 192 |
|---|
|
Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла
С. Г. Овчинников+*, О. А. Максимова+*, С. А. Лященко+, И. А. Яковлев+, С. Н. Варнаков+
+Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра "Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН", 660036 Красноярск, Россия *Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
Abstract
Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости  зависят от толщин
слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы.
Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок.
Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической
проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора
при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.
|