Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 114 | ISSUE 5 | PAGE 323
Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC
Abstract
Продемонстрировано влияние статической механической деформации на расщепление спиновых подуровней центров окраски на основе вакансий кремния со спином S=3/2 в карбиде кремния при комнатной температуре. Исследована деформированная гетерограница структуры AlN/4H-SiC. Определены значения напряжения вблизи гетероинтерфейса, при помощи конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света. Применяя метод оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) впервые экспериментально получена величина спин-механического взаимодействия для центра V2 в 4H-SiC. Такой подход позволил определить величину констант спин-деформационного взаимодействия для центра V2 в 4H-SiC: {\Xi} = -0.1 \pm 0.25 ГГц/деформация, {\Xi'} = -0.8 \pm 0.1 ГГц/деформация. Результаты работы могут быть применены для контроля спиновых состояний в SiC за счет контролируемой пьезоэлектрической деформации AlN. По результатам данной работы становится возможным оценить параметр тонкой структуры спиновых центров D, используя метод комбинационного рассеяния света. Такого рода оценка позволит прогнозировать магнитометрические параметры наносенсоров на основе нанокристаллов SiC.