Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 114 (2021) | ISSUE 6 | PAGE 366
Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs p-i-n структурах1)
Abstract
Обнаружено сильное влияние длины волны падающего света λ на относительную долю осциллирующей составляющей фототока в GaAs/AlAs p-i-n гетероструктурах. Эффект объяснен в рамках расширенной "резонансно-туннельной" модели происхождения осцилляций, учитывающей также смещение глубины поглощения света в гетероструктуре с длиной волны λ. Поведение фотоосцилляций в магнитном поле оказалось аналогичным поведению туннельных резонансов в n-i-n структурах с широкими квантовыми ямами и дало подтверждения как нашей интерпретации влияния λ на относительный вклад осциллирующей компоненты в фототок, так и применимости нашей модели осцилляций.


 
Supplemental files
6han-d.pdf