Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 114 | ISSUE 6 | PAGE 366
Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs p-i-n структурах1)
Abstract
Обнаружено сильное влияние длины волны падающего света λ на относительную долю осциллирующей составляющей фототока в GaAs/AlAs p-i-n гетероструктурах. Эффект объяснен в рамках расширенной "резонансно-туннельной" модели происхождения осцилляций, учитывающей также смещение глубины поглощения света в гетероструктуре с длиной волны λ. Поведение фотоосцилляций в магнитном поле оказалось аналогичным поведению туннельных резонансов в n-i-n структурах с широкими квантовыми ямами и дало подтверждения как нашей интерпретации влияния λ на относительный вклад осциллирующей компоненты в фототок, так и применимости нашей модели осцилляций.


Supplemental files
6han-d.pdf