Относительно высокой чувствительности заселенности колебательных уровней в лазерно-охлаждаемых молекулах к интенсивности излучения
T. A. Исаев
Национальный исследовательский центр "Курчатовский Институт" -
Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова, 188300 Гатчина, Россия
Abstract
Особенности электронной структуры лазерно-охлаждаемых молекул
могут использоваться для достижения высокой чувствительности к
интенсивности излучения путем измерения
заселенности колебательных уровней в таких молекулах. В настоящей статье
мы указываем на
перспективы измерения интенсивности излучения с высокой точностью с
использованием лазерно-охлаждаемых молекул.