|
VOLUME 114 (2021) | ISSUE 9 |
PAGE 586
|
Трансформация микроволновых резонансных свойств метаструктур с CdS и CdSe при одно- и двухфотонном возбуждении
Г. А. Крафтмахер, В. С. Бутылкин, Ю. Н. Казанцев, В. П. Мальцев, П. С. Фишер
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Россия
Abstract
Предложены, реализованы и исследованы в волноводе и мета-интерферометре в
диапазоне 3-12 ГГц управляемые методами фотоники метаструктуры, содержащие
резонансные электропроводящие дипольные и киральные элементы с CdS и CdSe в
разрывах. Впервые обнаружено в эксперименте, что при изменении мощности
оптического излучения Pλ, направляемого оптоволокном в область разрыва, в
ситуациях, когда энергия hν фотона не только выше ширины запрещенной зоны Eg
[hν(λ1=0.53 мкм)>Eg], но и ниже ее
[hν(λ2=0.97 мкм)<Eg], в спектре прохождения
микроволнового излучения происходит трансформация резонансного отклика
соответствующего элемента (плавное изменение интенсивности практически до уровня
прозрачности, сопровождаемое смещением частоты в сторону низких частот), а также
трансформация полосы запрета в интерферограмме мета-интерферометра с изменением
ширины в несколько раз. Наряду с этим, в условиях λ2-облучения на поверхности CdS
замечено оранжево-красное свечение, идентифицируемое как проявление
антистоксовой люминесценции. Прямыми измерениями резонаторным методом
комплексной диэлектрической проницаемости образцов CdS и CdSe обнаружены
увеличение Im (с приближением к насыщению при λ2)
и увеличение Re с
ростом Pλ. Обнаружены закономерности одинакового проявления физических
эффектов в микроволновом диапазоне частот при одно- и двухфотонном возбуждении
применительно к плотностям потоков световой энергии S1 (при Pλ1) и S2
(при Pλ2): ; S22/S1 = constant.
|
|